楊浦區500至1200V FRD電子元器件MOSFET

MOS管常用封裝

隨著電子技術的不斷進步，如今主板和顯卡的PCB板更傾向于采用表面貼裝式封裝的MOSFET，而非傳統的直插式封裝。因此，本文將重點探討表面貼裝式封裝的MOSFET，并深入介紹MOS管的外部封裝技術、內部封裝改進技術、整合式DrMOS、MOSFET的發展趨勢以及具體的MOSFET實例等。接下來，我們將對標準的封裝形式進行概述，包括TO（晶體管輪廓）封裝等。

TO（TransistorOut-line）即“晶體管外形”，是一種早期的封裝規格。其中，TO-92、TO-92L、TO-220以及TO-252等都是采用插入式封裝設計。

隨著表面貼裝市場的需求不斷增長，TO封裝也逐漸演進為表面貼裝式封裝。特別是TO252和TO263，這兩種表面貼裝封裝方式得到了廣泛應用。值得注意的是，TO-252也被稱為D-PAK，而TO-263則被稱為D2PAK。

SOT（Small Out-Line Transistor）封裝，即“小外形晶體管封裝”，是一種貼片型小功率晶體管封裝方式。相較于傳統的TO封裝，其體積更為緊湊，特別適用于小功率MOSFET的封裝需求。 公司產品生產代工為國內頭部功率半導體生產企業。.楊浦區500至1200V FRD電子元器件MOSFET

SGT技術：突破傳統MOS的性能瓶頸

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是開關電源、逆變器、電機控制等應用的重要開關器件。傳統平面MOS和早期溝槽MOS在追求更低導通電阻(Rds(on))和更快開關速度時，往往會面臨開關損耗(Qg,Qgd)增大、抗沖擊能力下降等矛盾。

商甲半導體采用的SGT結構技術，正是解決這一矛盾的關鍵：

屏蔽柵極結構：在傳統的柵極溝槽結構基礎上，創新性地引入了額外的“屏蔽電極”（通常是源極電位）。這一結構能有效屏蔽柵極與漏極之間的米勒電容(Cgd)，大幅降低柵極電荷(Qg,特別是Qgd)。

低柵極電荷(Qg)：降低Qg意味著驅動電路更容易驅動MOS管，減少開關過程中的導通和關斷損耗，提升系統整體效率，尤其在需要高頻開關的應用中優勢明顯。

優化導通電阻(Rds(on))：SGT結構通過優化載流子分布和溝道設計，在同等芯片面積下，實現了比傳統溝槽MOS更低的導通電阻，降低了導通狀態下的功率損耗和發熱。

優異的開關性能：低Qg和優化的電容特性共同帶來了更快的開關速度和更干凈的開關波形，減少了電壓/電流應力，提升了系統穩定性和EMI性能。

高可靠性：精心設計的結構有助于改善器件的雪崩耐量(Eas)和抗閂鎖能力，提高了系統在惡劣工況下的魯棒性。 鹽城光伏逆變電子元器件MOSFETMOSFET用于太陽能逆變器和UPS（不間斷電源）中，將直流電轉換為交流電。

無錫商甲半導體有限公司為一家功率半導體設計公司,專業從事各類高性能MOSFET、IGBT、SIC產品的研發、生產與銷售。總部位于江蘇省無錫市經開區,是無錫市太湖人才計劃重點引進項目。

MOSFET根據閾值電壓特性分為增強型和耗盡型兩類

增強型：在零柵極電壓時處于關閉狀態，需施加正電壓才能形成導電通道；

耗盡型：在零柵極電壓時已存在導電通道，需施加負電壓才能關閉通道。

MOSFET是大規模及超大規模集成電路中采用得的半導體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現代微電子技術的基石。尤其在數字邏輯電路中，MOSFET的開關特性為二進制計算提供了物理基礎。

商甲半導體的MOS管產品線展現出的綜合優勢：

高效：低Rds(on)與低Qg的完美結合，使得器件在導通損耗和開關損耗上都達到優異水平，提升系統效率，滿足日益嚴苛的能效標準

。運行能力：優異的開關特性使其非常適合于LLC諧振轉換器、同步整流、高頻DC-DC變換器等需要數百kHz甚至MHz級開關頻率的應用場景，助力實現電源小型化、輕量化。

熱性能：低損耗直接轉化為更低的溫升，結合優化的封裝熱阻(Rthja)，提升了功率密度和長期運行可靠性。

強大的魯棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗沖擊能力，確保器件在浪涌、短路等異常情況下具有更高的生存概率。

國產供應鏈保障：公司運營為Fabless模式，芯片自主設計并交由芯片代工企業進行代工生產，其后委托外部封裝測試企業對芯片進行封裝測試，自主銷售。商甲半導體提供穩定可靠的供貨保障，助力客戶降低供應鏈風險，推動功率元器件國產化進程。 商甲半導體打造全系列N/P溝道車規級MOSFET，為日益增長的汽車需求助力；

選擇MOS管的指南

確定電壓

選擇MOS管時，電壓是一個關鍵因素。需根據實際應用場景確定所需的額定電壓以確保其安全性。額定電壓不僅影響器件的成本，還直接關系到其安全性。設計人員需要根據實際應用場景來確定所需的額定電壓，確保其能夠承受干線或總線電壓的沖擊，并留出足夠的余量以應對可能的電壓變化。

考慮電流

除了電壓外，電流也是選擇MOS管時必須考慮的因素。MOS管的額定電流需應對系統中的最大負載及尖峰電流，需綜合考慮電流承受能力。MOS管的額定電流必須能夠應對系統中的最大負載電流，以及可能出現的尖峰電流。需要根據電路的具體結構來決定合適的電流值。 商甲半導體多平臺產品實現量產，開關特性表現很好，適配多元應用場景，更以 Fabless 模式提供定制服務。鹽城光伏逆變電子元器件MOSFET

公司在標準產品技術創新的基礎上，與客戶深度合作開發定制產品。楊浦區500至1200V FRD電子元器件MOSFET

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術，其引腳設計呈海鷗翼狀（L字形），從封裝兩側引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外，SOP也被稱為SOL和DFP。2、SOP封裝標準涵蓋了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多種規格，其中數字部分表示引腳數量。在MOSFET的封裝中，SOP-8規格被采用，且業界常將P*部分省略，簡稱為so（SmallOut-Line）。

SO-8采用塑料封裝，未配備散熱底板，因此散熱效果一般，主要適用于小功率MOSFET。

SO-8封裝技術初由PHILIP公司開發，隨后逐漸演變為TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）以及TSSOP（薄的縮小型SOP）等標準規格。 楊浦區500至1200V FRD電子元器件MOSFET