東莞C10100無氧銅排廠家

電動汽車充電槍用無氧銅排選用 TU2 材質，截面尺寸 10mm×8mm，導電率≥100% IACS，支持 500A/800V 超快充，充電 10 分鐘可補充 400km 續航里程。其表面鍍銀處理（銀層厚度 5μm），插拔壽命達 10000 次，接觸電阻始終≤10μΩ。為滿足手持操作的安全性，銅排外包覆 4mm 厚的阻燃硅膠（UL94 V0 級），耐溫范圍 - 40℃至 125℃，且具有防觸電保護（絕緣電阻≥100MΩ）。在結構上，采用彈性接觸設計，可補償 ±0.5mm 的對接偏差，避免插拔時產生電弧。通過 GB/T 20234.3-2015 標準測試，該銅排在短路、過溫等故障狀態下可自動斷電，確保充電安全。核泵無氧銅排在 300℃、15MPa 下長期運行可靠。東莞C10100無氧銅排廠家

低溫環境用無氧銅排選用 TU1 超純無氧銅，在液氦（-269℃）和液氮（-196℃）環境下仍保持優異的導電性能，導電率分別提升至 150% IACS 和 130% IACS，是超導磁體系統的理想電流引線材料。其采用深冷處理工藝（-196℃/24h），消除了內應力，在低溫下的線膨脹系數≤1.5×10??/℃，減少了與超導材料的熱失配。銅排與超導帶材的連接采用擴散焊接工藝，界面電阻≤1nΩ?cm2，熱導≤10mW/(K?cm2)，降低了從室溫到低溫的漏熱。在大型強子對撞機（LHC）等高能物理設備中，該銅排可傳輸 10000A 電流，且在 - 269℃下的機械性能保持穩定（抗拉強度≥250MPa，伸長率≥25%），確保粒子加速過程的電力供應可靠。深圳電力母線無氧銅排渠道航空發動機無氧銅排耐 350℃，保障點火系統穩定。

半導體刻蝕機用無氧銅排采用 C10100 超純無氧銅，純度≥99.99%，氧含量≤0.0005%，可避免在等離子體環境中釋放雜質氣體，影響晶圓刻蝕精度。其表面經電化學拋光，粗糙度 Ra≤0.02μm，粒子脫落率≤1 個 /ft3（≥0.1μm），滿足 Class 1 級潔凈室要求。銅排通過真空電子束焊接連接，焊縫強度≥200MPa，無氧化夾雜，確保在射頻（13.56MHz）環境下的信號穩定性。在布局上，采用低電感設計（≤10nH），減少對射頻電源的干擾，使刻蝕線寬偏差控制在 ±1nm 以內。適用于 7nm 及以下先進制程的半導體制造設備。

舞臺燈光設備用無氧銅排由多股 0.5mm 厚 TU1 銅箔絞合而成，外包覆阻燃硅膠（UL94 V0 級），可實現 360° 旋轉和 ±120° 彎曲，適配燈光架的多角度調節。其總截面面積 15mm2，導電率≥100% IACS，可同時為 10 臺 2000W 搖頭燈供電，電流波動≤1%。銅排兩端采用快速插拔接頭，插拔壽命達 5000 次，接觸電阻≤10μΩ，滿足舞臺頻繁換景的需求。在散熱設計上，硅膠護套添加導熱顆粒，熱導率提升至 0.8W/(m?K)，確保連續工作 4 小時溫升≤40K，通過 GB 7000.1-2015 舞臺燈具安全標準。電池包并聯無氧銅排電流均衡，偏差≤2%。

電動汽車電池包用并聯無氧銅排采用 TU2 材質，由 8 條 10mm×2mm 的銅排并聯組成，總截面積 160mm2，可均衡分配 800V 電池組的電流，每串電池電流偏差≤2%。其表面采用絕緣膜包裹（厚度 0.1mm），耐穿刺強度≥10N，防止電池液腐蝕和短路。銅排與電池極柱的連接采用激光焊接，焊點直徑 3mm，強度≥50N，電阻≤5μΩ。在熱管理上，銅排與電池包冷卻板接觸，將局部熱點溫度降低 10℃，延長電池壽命。通過 ISO 12405 標準測試，該銅排在電池過充、擠壓等故障情況下不發生火花，提高電池包安全性。激光切割機無氧銅排供電穩定，確保切割精度 ±0.01mm。浙江充電樁用無氧銅排廠家直銷

半導體封裝無氧銅排實現高密度互聯，延遲降 20%。東莞C10100無氧銅排廠家

TU1 無氧銅排作為國標中純度比較高的無氧銅產品（GB/T 5231-2012），其銅含量≥99.97%，氧含量嚴格控制在≤0.001%，這一純度使其導電率可達 101% IACS，電阻率低至 0.01724Ω?mm2/m，遠超普通紫銅材料。為實現如此高的純度，其生產過程采用真空感應熔煉工藝，在 10?3Pa 的真空環境下去除雜質，尤其是氫元素的含量被控制在 0.0003% 以下，有效避免了后續加工中的氫脆風險。在航天領域，TU1 無氧銅排被廣泛應用于衛星通信系統的波導管組件，其優異的高頻信號傳輸性能可將 28GHz 頻段的信號衰減控制在 0.1dB/m 以內，且能在 - 180℃至 125℃的極端溫度范圍內保持穩定的力學性能 —— 抗拉強度≥200MPa，伸長率≥30%，確保航天器在發射和在軌運行時的信號傳輸可靠性。此外，在半導體制造設備的真空腔室中，TU1 無氧銅排作為電極連接件，其表面粗糙度通過電解拋光控制在 Ra≤0.2μm，減少了等離子體轟擊下的微粒脫落，滿足晶圓制造的超高潔凈度要求。東莞C10100無氧銅排廠家