將上述sr摻雜batio3/znte工作電極放入光電化學反應器內,與鉑片對電極組裝成兩電極體系,將該電極在+,所用溶液為碳酸丙烯酯,用去離子水清洗后,將光電極在真空條件下50℃干燥10h。之后,采用上海辰華chi660e電化學工作站,將極化后的sr摻雜batio3/znte工作電極和飽與鉑片對電極、飽和甘汞電極組裝成典型的三電極體系,電解質溶液為。光電流測試前,往電解質溶液中鼓co2半個小時,使溶液中的氧氣排盡,co2濃度達到飽和。圖4為本實施例制備的sr摻雜batio3/znte工作電極和水熱法制備的znte薄膜電極在。由圖可知,單獨的znte光電催化難以產生co產物,說明znte光陰極的大部分載流子不能與co2發生相互作用,導致界面載流子嚴重復合,co產生量很低。但是,sr摻雜batio3/znte工作電極的co產量明顯增加,說明sr摻雜batio3增加了znte表面的載流子濃度,間接證實了sr摻雜batio3的載流子分離作用。硅光電二極管主流供應商?世華高!長沙國產硅光電二極管找哪家
本發明屬于光電催化技術領域,具體涉及一種sr摻雜batio3/znte光陰極材料的制備方法,可以實現znte光生載流子的定向分離,并加速界面co2還原反應的活性。背景技術:能源危機和溫室效應是人類目前急需解決的關鍵科學難題,以太陽能驅動的co2還原為解決這些問題提供了一個理想的途徑,該反應綠色、**,條件溫和,吸引了多國和科研人員的目光。光電催化反應技術整合光催化和電催化技術的優勢,從而實現對co2還原更高的效率和更理想的選擇性。目前,光電催化co2還原的效率依然很低,太陽能到化學能的轉化效率遠低于工業應用所需的10%效率,根本原因在于載流子復合嚴重,界面反應動力學緩慢。為了推進光電催化co2還原技術的實際應用,關鍵是開發**載流子分離的光陰極材料。znte是一種可見光響應的p型半導體(),其導帶邊電勢()遠負于其它半導體,能克服co2還原的熱力學勢壘,是目前光(電)催化co2還原的理想材料。但是,單一znte光電極材料依然無法**分離光生載流子,大部分載流子在界面反應發生之前復合損失。構建半導體納米異質結是分離光生載流子的通用途徑,但該方法往往需要兩個半導體之間的能帶匹配,且兩相界面需有利于載流子傳輸。這樣,很大地限制了半導體材料的選擇。因此。長沙濱松硅光電二極管特性深圳市世華高半導體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設在深圳,主要負責研發和銷售工作。
本發明具有以下有益的技術效果:本發明提供的高速高響應度的硅基光電二極管,通過適當減小耗盡區寬度和減小擴散區電阻率,耗盡區寬度減小導致響應度的降低,本發明通過增加高反層使得光子在耗盡區中二次吸收來補償;高反層的形成使得器件保持對長波響應度的同時,降低響應時間;由于擴散區(耗盡區以外的區域)材料電阻率很低,擴散區阻抗很小,因此擴散時間很短;從而實現硅基光電二極管高響應度與高響應速度同時提升。本發明提供的高速高響應度的硅基光電二極管,由于通過低阻材料降低了擴散區電阻,縮短了擴散時間;而高反層的設置提高了長波的吸收效率,降低了耗盡區的物理厚度,縮短了漂移時間,并且在其上開孔減小了擴散區的阻抗;襯底采用低電阻率材料,背面不用進行減薄注入,直接背面金屬化形成背面電極,避免了加工過程中碎片的情況。附圖說明圖1為本發明的結構圖示意圖;圖2為本發明的等效電路示意圖;圖3為本發明的高反層原理示意圖;圖4為多孔結構高反層的示意圖;圖5-1~圖5-7分別為本發明的逐層制備示意圖。圖6為本發明的硅基光電二極管的響應度測試曲線;圖7為本發明的硅基光電二極管的頻率特性測試曲線。
硅光二極管還可以用于構建光傳感器。例如,在環境監測中,可以利用硅光二極管檢測空氣中的污染物濃度;在醫療診斷中,可以利用硅光二極管檢測生物組織的光學特性。硅光二極管的光電轉換特性使其成為構建光傳感器的理想選擇。深圳市世華高半導體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設在深圳,主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地,負責光電器件的制造。其產品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發射管、發光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。世華高半導體已成為一家先進的半導體器件制造商。公司在全球范圍內設有多個銷售機構,分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區。隨著生產規模的不斷擴大和產品種類的豐富,公司的銷售業績穩步提升。已被廣泛應用于新型太陽能電池、光電探測器和光電存儲器等領域。
深圳市世華高半導體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設在深圳,主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地,負責光電器件的制造。其產品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發射管、發光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。經過十余年的發展,世華高半導體已成為一家先進的半導體器件制造商。公司在全球范圍內設有多個銷售機構,分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區。本發明屬于半導體器件技術領域,涉及一種高速高響應度的硅基光電二極管及其制備方法。背景技術:硅基光電二極管由于其材料成本造工藝簡單,響應度峰值波長為940nm,在3dsensor、紅外測距、光通訊等領域有著廣泛的應用。由于光在硅中的入射深度跟入射光波長相關,波長越長,入射越深,因此為了提高響應度,傳統光電二極管均選用高阻材料(電阻率2000~5000ohmcm)來提升耗盡區寬度,從而達到提高響應度的目的。隨著光電二極管在光通訊中的廣泛應用,光電二極管的響應速度要求越來越高,常規硅基光電二極管響應時間為納秒級,已無法滿足數據傳輸率1gbps以上的應用場景,因此。世華高硅光電二極管性能穩定,技術成熟。廣州國產硅光電二極管供應
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在使用硅光二極管時,需要注意一些事項。例如,需要避免長時間暴露在強光下,以免損壞器件;需要保持器件的清潔和干燥,以提高其穩定性和可靠性。此外,在選擇硅光二極管時,還需要根據實際應用場景的需求進行匹配,以獲得性能和效果。深圳市世華高半導體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設在深圳,主要負責研發和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區作為生產基地,負責光電器件的制造。其產品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發射管、發光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。世華高半導體已成為一家先進的半導體器件制造商。公司在全球范圍內設有多個銷售機構,分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區。隨著生產規模的不斷擴大和產品種類的豐富,公司的銷售業績穩步提升。長沙國產硅光電二極管找哪家