莆田小家電真空鍍膜

電子束真空鍍膜的物理過程：物理的氣相沉積技術(shù)的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）電子束激發(fā)鍍膜材料金屬顆粒的氣化：即鍍膜材料的蒸發(fā)、升華從而形成氣化源，（2）鍍膜材料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子（原子團(tuán)、分子團(tuán)或離子團(tuán)）經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍膜材料粒子在基片表面的沉積。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。鍍膜層在真空條件下均勻附著于基材。莆田小家電真空鍍膜

使用PECVD，高能電子可以將氣體分子激發(fā)到足夠活躍的狀態(tài)，使得在相對(duì)低溫下就能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這對(duì)于敏感于高溫或者不能承受高溫處理的材料（如塑料）來說是一個(gè)重要的優(yōu)勢(shì)。等離子體中的反應(yīng)物質(zhì)具有很高的動(dòng)能，可以使得它們?cè)诟鞣N表面，包括垂直和傾斜的表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這就使得PECVD可以在基板的全范圍內(nèi)，包括難以接觸的區(qū)域，形成高質(zhì)量的薄膜。在PECVD過程中，射頻能量引發(fā)原料氣體形成等離子體。這個(gè)等離子體由高能電子和離子組成，它們能夠在各種表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。這就使得反應(yīng)物質(zhì)能夠均勻地分布在整個(gè)基板上，從而形成均勻的薄膜。且PECVD可以在相對(duì)低溫下進(jìn)行，因此基板上的熱效應(yīng)對(duì)薄膜的形成影響較小。這進(jìn)一步有助于保持薄膜的均勻性。寶雞真空鍍膜技術(shù)熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化。

電介質(zhì)在集成電路中主要提供器件、柵極和金屬互連間的絕緣，選擇的材料主要是氧化硅和氮化硅等。氧化硅薄膜可以通過熱氧化、化學(xué)氣相沉積和原子層沉積法的方法獲得。如果按照壓力來區(qū)分的話，熱氧化一般為常壓氧化工藝，快速熱氧化等。化學(xué)氣相沉積法一般有低壓化學(xué)氣相沉積氧化工藝，半大氣壓氣相沉積氧化工藝，增強(qiáng)等離子體化學(xué)氣相層積等。在熱氧化工藝中，主要使用的氧源是氣體氧氣、水等，而硅源則是單晶硅襯底或多晶硅、非晶硅等。氧氣會(huì)消耗硅（Si），多晶硅（Poly）產(chǎn)生氧化，通常二氧化硅的厚度會(huì)消耗0.54倍的硅，而消耗的多晶硅則相對(duì)少些。這個(gè)特性決定了熱氧化工藝只能應(yīng)用在側(cè)墻工藝形成之前的氧化硅薄膜中。

通常在真空鍍膜中制備的薄膜與襯底的粘附主要與一下幾個(gè)因素有關(guān)：1.襯底表面的清潔度；2.制備時(shí)腔體的本底真空度；3.襯底表面的預(yù)處理。襯底的清潔度會(huì)嚴(yán)重影響薄膜的粘附力，也可能導(dǎo)致制備的薄膜在臟污處出現(xiàn)應(yīng)力集中甚至導(dǎo)致開裂；設(shè)備的本底真空也是影響粘附力的重要5因素，對(duì)于磁控濺射來說，通常要保證設(shè)備的本底真空盡量低于5E-6Torr；對(duì)于某些襯底表面，通常可以使用等離子體對(duì)其進(jìn)行預(yù)處理，也能很大程度增加薄膜的粘附力。先進(jìn)的真空鍍膜技術(shù)提升產(chǎn)品美觀度。

介質(zhì)薄膜是重要的半導(dǎo)體薄膜之一。它可用作電路間的絕緣層，掩蔽半導(dǎo)體主要元件的相互擴(kuò)散和漏電現(xiàn)象，從而進(jìn)一步改善半導(dǎo)體操作性能的可靠性；它還可用作保護(hù)膜，在半導(dǎo)體制程的環(huán)節(jié)生成保護(hù)膜，保護(hù)芯片不受外部沖擊；或用作隔離膜，在堆疊一層層元件后進(jìn)行刻蝕時(shí)，防止無需移除的部分被刻蝕。淺槽隔離（STI，ShallowTrenchIsolation）和金屬層間電介質(zhì)層（就是典型的例子。沉積材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。真空鍍膜技術(shù)普遍應(yīng)用于工業(yè)制造。金華光學(xué)真空鍍膜

真空鍍膜過程中需確保鍍膜均勻性。莆田小家電真空鍍膜

PVD鍍膜(離子鍍膜)技術(shù)，其具體原理是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上。特點(diǎn),采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，膜層的壽命更長(zhǎng);同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。PVD鍍膜能夠鍍出的膜層種類，PVD鍍膜技術(shù)是一種能夠真正獲得微米級(jí)鍍層且無污染的環(huán)保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜（如鋁、鈦、鋯、鉻等），氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD鍍膜膜層的厚度—PVD鍍膜膜層的厚度為微米級(jí)，厚度較薄，一般為0.3μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm～1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，鍍后不須再加工。莆田小家電真空鍍膜