VDRM)的計算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計算:由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯,根據公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項:l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件,使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后,在模塊底板上均勻涂上(采用滾柱來回滾動涂抹)導熱硅脂,導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊,檢查模塊底板整個區域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應平整,散熱器的平面度≤(1),確保良好的熱傳導,電極與銅排連接時。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。鋼鐵廠穩流穩壓模塊廠家
它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態,而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極。棗莊高壓晶閘管模塊廠家正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系,使產品質量日趨穩定。
紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發信號,表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通;脫開G極,只要GTO維持通態,就說明被測管具有觸發能力。3.檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負向觸發信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關斷能力。4.估測關斷增益βoff進行到第3步時,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1;再接上表Ⅱ強迫GTO關斷,記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數;K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是。不需要具體計算IAT、IG之值,只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數,即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯(1)在檢查大功率GTO器件時,建議在R×1檔外邊串聯一節′。
并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力,所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,任一所述接頭包括:螺栓和螺母,所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進,所述外殼上還設置有門極銅排安裝座。與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠實現電力系統的多路控制,有效保證了電力系統的正常運行。附圖說明為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地。正高電氣提供周到的解決方案,滿足客戶不同的服務需要。
500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅動電路在邏輯電路驅動時應盡可能采用低電平輸出進行驅動,以保證有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅動的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac極寬的范圍內均能可靠觸發繼電器導通,且輸入與輸出沒有相位要求:㈧LSR過壓的保護:除LSR內部本身有RC吸收回路保護外,還可以采取并聯金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積大小決定吸收功率,MOV的厚度決定保護電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻,380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻,480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴展:本公司生產的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級的可控硅觸發,功率擴展后仍具有過零特性或隨機特性。功率擴展LSR的型號為:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)。正高電氣具有一支經驗豐富、技術力量過硬的專業技術人才管理團隊。東營雙向晶閘管模塊批發
正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。鋼鐵廠穩流穩壓模塊廠家
750V通態平均電流IT(AV):5A比較大通態電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向導通電壓VTR:<比較大門極觸發電壓VGT:4V比較大門極觸發電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項:1.檢查逆導性選擇萬用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應為5~10Ω。若阻值為零,證明內部二極管短路;電阻為無窮大,說明二極管開路。2.測量正向直流轉折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發能力實例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,同時用讀取電壓法求出出內部二極管的反向導通電壓VTR(實際是二極管正向電壓VF)。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V(BO)值。全部數據整理成表1。由此證明被測RCT質量良好。注意事項:(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測量。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,但應遠離發熱元件。鋼鐵廠穩流穩壓模塊廠家
淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經濟發達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區,是專業從事電力電子產品、及其相關產品的開發、生產、銷售及服務為一體的高科技企業。主要生產各類規格型號的晶閘管智能模塊、晶閘管模塊、可控硅模塊、電力調整器、固態繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發板、控制板等產品,并可根據用戶需求進行產品設計加工。近年來,本公司堅持以人為本,始終立足于科技的前沿,狠抓產品質量,產品銷往全國各地,深受用戶的好評。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發展的腳步,在社會各界及客戶的大力支持下,生機勃發,春意盎然。面向未來,前程似錦,豪情滿懷。今后,我們將進一步優化產品品質,堅持科技創新,一切為用戶著想,以前列的服務為社會奉獻高、精、尖的產品,不斷改進、不斷提高是我們不變的追求,用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來我公司參觀指導,恰談業務!