一、驅動電路概述驅動電路是位于主電路和控制電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路,即將控制電路輸出的信號放大到足以驅動功率晶體管的程度,實現開關功率放大作用。它是電子設備和系統中至關重要的組成部分,廣泛應用于計算機、通信設備、電視、汽車、機器人等領域。二、驅動電路的作用功率放大:驅動電路的主要作用是將控制電路產生的微弱信號放大,以驅動功率開關器件的開斷。提高系統可靠性:優良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗,提高能量轉換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。控制信號:確定控制信號的類型(如PWM信號、數字信號等)。普陀區好的驅動電路圖片
驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能,以實現主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強的抗干擾能力,避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。普陀區好的驅動電路圖片優良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗,提高能量轉換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。
可控硅前沿調光器若直接用于控制普通的LED驅動器,LED燈會產生閃爍,更不能實現寬范圍的調光控制。原因歸結如下:(1)可控硅的維持電流問題。目前市面上的可控硅調光器功率等級不同,維持電流一般是7~75mA(驅動電流則是7~100mA),導通后流過可控硅的電流必須要大于這個值才能繼續導通,否則會自行關斷。(2)阻抗匹配問題。當可控硅導通后,可控硅和驅動電路的阻抗都發生變化,且驅動電路由于有差模濾波電容的存在,呈容性阻抗,與可控硅調光器存在阻抗匹配的問題,因此在設計電路時一般需要使用較小的差模濾波電容。
a)驅動器靠近IGBT減小引線長度;b) 驅動的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;c) 線路板上的 2 根驅動線的距離盡量靠近;d) 柵極電阻使用無感電阻;e) 如果是有感電阻,可以用幾個并聯以減小電感。2、IGBT 開通和關斷選取不同的柵極電阻通常為達到更好的驅動效果,IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。也可以將模擬信號轉換為數字信號,以控制數碼管等顯示設備。
門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅動器總功率 P = PG + PS(驅動器的功耗)平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下,數據手冊中這個門極電荷參數沒有給出,門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -隔離驅動:電路包含隔離器件,常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。金山區優勢驅動電路生產企業
驅動電路在現代電子技術中發揮著重要的作用,是實現各種功能和提升電子器件性能和效率的關鍵。普陀區好的驅動電路圖片
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣,一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)普陀區好的驅動電路圖片
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