實時成像微光顯微鏡用戶體驗

在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區(qū)域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產(chǎn)生局部光發(fā)射，而正常區(qū)域則保持暗場狀態(tài)。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態(tài)下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網(wǎng)絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統(tǒng)聯(lián)動，實現(xiàn)不同工作模式下的動態(tài)成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優(yōu)化或工藝改進方案。我司微光顯微鏡分析 PCB/PCBA 失效元器件周圍光子，可判斷其是否失效及類型位置，提高維修效率、降低成本。實時成像微光顯微鏡用戶體驗

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點的缺陷，如：1.漏電結(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(Hotelectrons);4.閂鎖效應(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。當然，部分情況下也會出現(xiàn)樣品本身的亮點，如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等出現(xiàn)亮點時應注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點另外也會出現(xiàn)偵測不到亮點的情況，如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導電通路等。若一些亮點被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。制冷微光顯微鏡儀器處理 ESD 閉鎖效應時，微光顯微鏡檢測光子可判斷其位置和程度，為研究機制、制定防護措施提供支持。

對于半導體研發(fā)工程師而言，排查失效問題往往是一場步步受阻的過程。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝缺陷等潛在因素后，若仍無法定位問題根源，往往需要依賴芯片原廠介入，借助剖片分析手段深入探查芯片內(nèi)核。然而現(xiàn)實中，由于缺乏專業(yè)的失效分析設備，再加之芯片內(nèi)部設計牽涉大量專有與保密信息，工程師很難真正理解其底層構造。這種信息不對稱，使得他們在面對原廠出具的分析報告時，往往陷入“被動接受”的困境——既難以驗證報告中具體結論的準確性，也難以基于自身判斷提出更具針對性的質(zhì)疑或補充分析路徑。

與市場上同類產(chǎn)品相比，致晟光電的EMMI微光顯微鏡在靈敏度、穩(wěn)定性和性價比方面具備優(yōu)勢。得益于公司自主研發(fā)的實時圖像處理算法與暗噪聲抑制技術，設備在捕捉低功耗器件缺陷時依然能保持高清成像。同時，系統(tǒng)采用模塊化設計，方便與紅外熱成像、OBIRCH等其他分析手段集成，構建多模態(tài)失效分析平臺。這種技術組合不僅縮短了分析周期，也提升了檢測準確率。加之完善的售后與本地化服務，致晟光電在國內(nèi)EMMI設備市場中已形成穩(wěn)固的品牌影響力，為半導體企業(yè)提供從設備交付到技術支持的全鏈條服務。當金屬層遮擋導致 OBIRCH 等無法偵測故障時，微光顯微鏡可進行補充檢測。

在實際開展失效分析工作前，通常需要準備好檢測樣品，并完成一系列前期驗證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過在早期階段進行充分的背景調(diào)查與電性能驗證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準確性。

首先，失效背景調(diào)查是不可或缺的一步。它需要對芯片的型號、應用場景及典型失效模式進行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

我司自主研發(fā)的桌面級設備其緊湊的機身設計，可節(jié)省實驗室空間，適合在小型研發(fā)機構或生產(chǎn)線上靈活部署。微光顯微鏡備件

其搭載的圖像增強算法，能強化微弱光子信號，減少噪聲干擾，使故障點成像更鮮明，便于識別。實時成像微光顯微鏡用戶體驗

微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種常用的芯片失效分析手段，可以用于確認芯片的失效位置。其原理是對樣品施加適當電壓，失效點會因加速載流子散射或電子-空穴對的復合而釋放特定波長的光子，這時光子就能被檢測到，從而檢測到漏電位置。Obirch利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。實時成像微光顯微鏡用戶體驗