檢測用微光顯微鏡成像儀

微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種常用的芯片失效分析手段，可以用于確認芯片的失效位置。其原理是對樣品施加適當電壓，失效點會因加速載流子散射或電子-空穴對的復合而釋放特定波長的光子，這時光子就能被檢測到，從而檢測到漏電位置。Obirch利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結構選裝，滿足不同微光探測需求。檢測用微光顯微鏡成像儀

與傳統的半導體失效檢測技術，如 X 射線成像和電子顯微鏡相比，EMMI 展現出獨特優勢。X 射線成像雖能洞察芯片內部結構，但對因電學異常引發的微小缺陷敏感度不足；電子顯微鏡雖可提供超高分辨率微觀圖像，卻需在高真空環境下工作，且對樣品制備要求苛刻。EMMI 則無需復雜樣品處理，能在芯片正常工作狀態下實時檢測，憑借對微弱光信號的探測，有效彌補了傳統技術在檢測因電學性能變化導致缺陷時的短板，在半導體質量控制流程中占據重要地位。非制冷微光顯微鏡技術參數我司自主研發的桌面級設備其緊湊的機身設計，可節省實驗室空間，適合在小型研發機構或生產線上靈活部署。

在電性失效分析領域，微光顯微鏡 EMMI 常用于檢測擊穿通道、漏電路徑以及器件早期退化區域。芯片在高壓或大電流應力下運行時，這些缺陷部位會產生局部光發射，而正常區域則保持暗場狀態。EMMI 能夠在器件正常封裝狀態下直接進行非接觸式觀測，快速定位失效點，無需拆封或破壞結構。這種特性在 BGA 封裝、多層互連和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要，因為它能在復雜的布線網絡中精細鎖定問題位置。此外，EMMI 還可與電性刺激系統聯動，實現不同工作模式下的動態成像，從而揭示缺陷的工作條件依賴性，幫助工程師制定更有針對性的設計優化或工藝改進方案。

與 Thermal EMMI 熱紅外顯微鏡相比，EMMI 微光顯微鏡在分析由電性缺陷引發的微弱光發射方面更具優勢，能夠實現更高精度的缺陷定位；而熱紅外顯微鏡則更擅長捕捉因功率耗散導致的局部溫升異常。在與掃描電子顯微鏡（SEM）的對比中，EMMI 無需真空環境，且屬于非破壞性檢測，但 SEM 在微觀形貌觀察的分辨率上更勝一籌。在實際失效分析中，這些技術往往互為補充——可先利用 EMMI 快速鎖定缺陷的大致區域，再借助 SEM 或 FIB 對目標位置進行精細剖析與結構驗證，從而形成完整的分析鏈路。
介電層漏電時，微光顯微鏡可檢測其光子定位位置，保障電子器件絕緣結構可靠，防止電路故障。

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發射顯微鏡。這是一種在半導體器件失效分析中常用的技術，通過檢測半導體器件中因漏電、擊穿等缺陷產生的微弱光輻射（如載流子復合發光），實現對微小缺陷的定位和分析，廣泛應用于集成電路、半導體芯片等的質量檢測與故障排查。

致晟光電該系列——RTTLITE20微光顯微分析系統（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測而設計的高精度檢測系統。其中，實時瞬態鎖相熱分析系統采用鎖相熱成像(Lock-in Thermography)技術，通過調制電信號損升特征分辨率與靈敏度，結合軟件算法優化信噪比，以實現顯微成像下的高靈敏度熱信號測量。 當二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態時，會有強烈的光子發射，形成明顯亮點。制冷微光顯微鏡設備

靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。檢測用微光顯微鏡成像儀

Thermal和EMMI是半導體失效分析中常用的兩種定位技術，主要區別在于信號來源和應用場景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發熱區域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發溫升的失效現象，響應快、直觀性強。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態下產生的微弱自發光信號進行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場景，而EMMI則在熱信號不明顯但存在異常電性行為時更具優勢。實際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實現失效點定位和問題判斷。檢測用微光顯微鏡成像儀