實時成像熱紅外顯微鏡工作原理

非制冷熱紅外顯微鏡的售價因品牌、性能、功能配置等因素而呈現較大差異 。不過國產的非制冷熱紅外顯微鏡在價格上頗具競爭力，適合長時間動態監測。通過鎖相熱成像等技術優化后，其靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）雖稍遜于制冷型，但性價比更具優勢。與制冷型相比，非制冷型無需制冷耗材，適用于 PCB、PCBA 等常規電子元件的失效分析；制冷型靈敏度更高（可達 0.1mK）、分辨率更低（低至 2μm），多用于半導體晶圓等對檢測要求較高的場景。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業檢測領域應用較多。熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復雜半導體失效分析 。實時成像熱紅外顯微鏡工作原理

車規級芯片作為汽車電子系統的重心，其可靠性直接關系到汽車的安全運行，失效分析是對提升芯片質量、保障行車安全意義重大。在車規級芯片失效分析中，熱紅外顯微鏡發揮著關鍵作用。芯片失效常伴隨異常發熱，通過熱紅外顯微鏡分析其溫度分布，能定位失效相關的熱點區域。比如，芯片內部電路短路、元器件老化等故障，會導致局部溫度驟升形成明顯熱點。從而快速定位潛在的故障點，為功率模塊的失效分析提供了強有力的工具。可以更好的幫助車企優化芯片良率與安全性。檢測用熱紅外顯微鏡分析熱紅外顯微鏡在 3D 封裝檢測中，通過熱傳導分析確定內部失效層 。

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優勢一：

熱紅外顯微鏡（Thermal emmi ）能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發射信號，其靈敏度通常可以達到微瓦甚至納瓦級別。同時，它還具有高分辨率的特點，能夠分辨出微小的熱點區域，分辨率可以達到微米甚至納米級別。具備極高的探測靈敏度，能夠捕捉微瓦級甚至納瓦級的熱輻射與光發射信號，適用于識別早期故障及微小異常。同時，該技術具有優異的空間分辨能力，能夠準確定位尺寸微小的熱點區域，其分辨率可達微米級，部分系統也已經可實現納米級識別。通過結合熱圖像與光發射信號分析，熱紅外顯微鏡為工程師提供了精細、直觀的診斷工具，大幅提升了故障排查與性能評估的效率和準確性。

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研究、精密器件研發等領域的專業工具，為行業在微觀熱管控、缺陷排查、性能優化等方面提供了更高效的技術支撐，推動微觀熱分析從 “可見” 向 “可知”“可控” 邁進。國產熱紅外顯微鏡憑借自主研發軟件，具備時域重構等功能，提升檢測效率。

非破壞性分析（NDA）以非侵入方式分析樣品內部結構和性能，無需切割、拆解或化學處理，能保留樣品完整性，為后續研究留有余地，在高精度、高成本的半導體領域作用突出。

無損分析，通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像，全程無接觸，無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導體制造中，可識別晶圓晶體缺陷；封裝階段，能檢測焊接點完整性或封裝層粘結質量；失效分析時，可定位內部短路或斷裂區域的隱性熱信號，為根源分析提供依據，完美適配半導體行業對高價值樣品的保護需求。 定位芯片內部微短路、漏電、焊點虛接等導致的熱異常點。高分辨率熱紅外顯微鏡設備

量化 SiC、GaN 等寬禁帶半導體的襯底熱阻、結溫分布，優化散熱設計。實時成像熱紅外顯微鏡工作原理

從傳統熱發射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術進化，不只是觀測精度與靈敏度的提升，更實現了對先進制程研發需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶，串聯起芯片設計、制造與可靠性評估全流程。在設計環節助力優化熱布局，制造階段輔助排查熱相關缺陷，可靠性評估時提供精細熱數據。這種全鏈條支撐，為半導體產業突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術保障，助力研發更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片，推動其從實驗室研發穩步邁向量產應用。
實時成像熱紅外顯微鏡工作原理