無損鎖相紅外熱成像系統功能

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，主要用于精細定位電子設備中的熱點區域，這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優化措施。鎖相熱紅外電激勵成像主動加熱，適用于定量和深層缺陷檢測，被動式檢測物體自身溫度變化，用于定性檢測。無損鎖相紅外熱成像系統功能

從技術原理來看，該設備構建了一套完整的 “熱信號捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時實現熱信號與光子發射的同步觀測。在檢測過程中，設備先通過熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區域，再啟動 RTTLIT 系統的鎖相功能：施加周期性電信號激勵后，缺陷會產生與激勵頻率同步的微弱熱響應，鎖相模塊過濾掉環境噪聲，將原本被掩蓋的熱信號放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式，既保證了檢測效率，又突破了傳統設備對微弱信號的檢測極限。工業檢測鎖相紅外熱成像系統故障維修鎖相熱成像系統放大電激勵下的微小溫度差異。

在實際應用中，這款設備已成為半導體產業鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環節，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關下的瞬態熱行為，提前預警潛在失效風險。某半導體企業在檢測一批失效芯片時，傳統熱成像設備能看到模糊的發熱區域，而使用致晟光電的一體化設備后，通過鎖相技術發現發熱區域內存在一個 2μm 的微小熱點，終定位為芯片內部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時發現，可能導致產品在長期使用中突然失效。

先進的封裝應用、復雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰。有缺陷或性能不佳的半導體器件通常表現出局部功率損耗的異常分布，導致局部溫度升高。RTTLIT系統利用鎖相紅外熱成像進行半導體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目標區域。LIT是一種動態紅外熱成像形式，與穩態熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環境中進行，無需光屏蔽箱。快速定位相比其他檢測技術，鎖相熱成像技術能夠在短時間內快速定位熱點，縮短失效分析時間。

鎖相熱成像系統在發展過程中也面臨著一些技術難點，其中如何優化熱激勵方式與信號處理算法是問題。熱激勵方式的合理性直接影響檢測的靈敏度和準確性，不同的被測物體需要不同的激勵參數；而信號處理算法則決定了能否從復雜的信號中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進行探索和創新，通過改進光源調制頻率，使其更適應不同檢測場景，開發多頻融合算法，提高信號處理的效率和精度等方式，持續提升系統的檢測速度與缺陷識別精度。未來，隨著新型材料的研發和傳感器技術的不斷進步，鎖相熱成像系統的性能將進一步提升，其應用領域也將得到的拓展，為更多行業帶來技術革新。
鎖相熱成像系統借電激勵，捕捉細微溫度變化辨故障。高分辨率鎖相紅外熱成像系統用途

電激勵頻率可調，適配鎖相熱成像系統多場景檢測。無損鎖相紅外熱成像系統功能

在當今高科技蓬勃發展的時代，鎖相紅外熱成像系統也成其為“RTTLIT"以其獨特的優勢，正逐漸成為紅外檢測領域的新寵。該系統采用先進的鎖相技術，能夠捕捉目標物體的微小溫度變化，為各行業提供前所未有的熱成像解決方案。鎖相紅外熱成像系統優勢在于其高靈敏度和高分辨率的熱成像能力。無論是在復雜的工業環境中，還是在精密的科研實驗中，該系統都能以超凡的性能，準確快速地識別出熱異常，從而幫助用戶及時發現問題，有效預防潛在風險。
無損鎖相紅外熱成像系統功能